一、OTDR測(cè)試的主要參數(shù):
二、測(cè)試參數(shù)設(shè)置:
因不同的波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)不同的光線特性(包括衰減、微彎等),測(cè)試波長(zhǎng)一般遵循與系統(tǒng)傳輸通信波長(zhǎng)相對(duì)應(yīng)的原則,即系統(tǒng)開(kāi)放1550波長(zhǎng),則測(cè)試波長(zhǎng)為1550nm。
脈寬越長(zhǎng),動(dòng)態(tài)測(cè)量范圍越大,測(cè)量距離更長(zhǎng),但在OTDR曲線波形中產(chǎn)生盲區(qū)更大;短脈沖注入光平低,但可減小盲區(qū)。脈寬周期通常以ns來(lái)表示。一般 10公里以下選用100ns、300 ns ,10公里以上選用300ns、1μs。
OTDR測(cè)量范圍是指OTDR獲取數(shù)據(jù)取樣的最大距離,此參數(shù)的選擇決定了取樣分辨率的大小。最佳測(cè)量范圍為待測(cè)光纖長(zhǎng)度1.5倍距離之間。
由于后向散射光信號(hào)極其微弱,一般采用統(tǒng)計(jì)平均的方法來(lái)提高信噪比,平均時(shí)間越長(zhǎng),信噪比越高。例如,3min的獲得取將比1min的獲得取提高 0.8dB的動(dòng)態(tài)。但超過(guò) 10min的獲得取時(shí)間對(duì)信噪比的改善并不大。一般平均時(shí)間不超過(guò)3min,以20s為宜。
光纖參數(shù)的設(shè)置包括折射率n和后向散射系數(shù)n和后向散射系數(shù)η的設(shè)置。折射率參數(shù)與距離測(cè)量有關(guān),后向散射系數(shù)則影響反射與回波損耗的測(cè)量結(jié)果。這兩個(gè)參數(shù)通常由光纖生產(chǎn)廠家給出。
三、曲線分析
如上圖1,判斷曲線是否正常的方法:
(1)曲線主體斜率基本一致,且斜率較小,說(shuō)明線路衰減常數(shù)較小,衰減的不均勻性較好。按照
國(guó)標(biāo)YD/T901-2001的規(guī)定:
① Bl. 1和B4類單模光纖的衰減系數(shù)應(yīng)符合下表規(guī)定。
| 光纖類別 | B1.1 | B4 | ||||
| 使用波長(zhǎng),nm | 1 310 | 1 550 | 1 6xx | 1 550 | 1 6xx | |
| 衰減系數(shù)最大值,dB/km | 0.36
0.40 |
0.22
0.25 |
0.32
0.35 |
0.22
0.25 |
0.32
0.35 |
|
| 注:當(dāng)光纖要在L波段使用時(shí),才對(duì)16xxnm衰減有要求。(xx≦25nm) | ||||||
②衰減不均勻性要求:
在光纖后向散射曲線上,任意500m 長(zhǎng)度上的實(shí)測(cè)衰減值與全長(zhǎng)上平均每500m 的衰減值之差的最壞值應(yīng)不大于0.05dB.
③衰減點(diǎn)不連續(xù)性要求:
對(duì)B1.1類單模光纖,在1310nm波長(zhǎng),一連續(xù)光纖長(zhǎng)度上不應(yīng)有超過(guò)0.1dB的不連續(xù)點(diǎn),在1550nm波長(zhǎng),一連續(xù)光纖長(zhǎng)度上不應(yīng)有超過(guò)0.05dB的不連續(xù)點(diǎn);對(duì)B4類單模光纖,在1550nm波長(zhǎng),一連續(xù)光纖長(zhǎng)度上不應(yīng)有超過(guò)0.05dB的不連續(xù)點(diǎn)。
(2)無(wú)明顯“臺(tái)階”,說(shuō)明線路接頭質(zhì)量較好,一般指標(biāo)要求:接頭損耗(雙向平均值)≤0.1dB/個(gè)。
(3)尾部反射峰較高,說(shuō)明遠(yuǎn)端成端質(zhì)量較好。
如上圖2中有明顯“臺(tái)階”,若此處是接頭處,則說(shuō)明此接頭接續(xù)不合格或者該根光纖在融纖盤(pán)中彎曲半徑太小或受到擠壓;若此處不是接頭處,則說(shuō)明此處光纜受到擠壓或打急彎。
如上圖3, 此段曲線斜率明顯較大,說(shuō)明此段光纖質(zhì)量不好,衰耗較大。
如上圖4,此段曲線尾部沒(méi)有反射峰,說(shuō)明此段光纖遠(yuǎn)端成端質(zhì)量不好或者遠(yuǎn)端光纖在此處折斷。
幻峰(鬼影)的識(shí)別:曲線上鬼影處未引起明顯損耗(如圖5);沿曲線鬼影與始端的距離是強(qiáng)反射事件與始端距離的倍數(shù),成對(duì)稱狀(如圖6)。
消除幻峰(鬼影):選擇短脈沖寬度、在強(qiáng)反射前端(如OTDR輸出端)中增加衰減。若引起鬼影的事件位于光纖終結(jié),可”打小彎”以衰減反射回始端的光。
在OTDR曲線上可能會(huì)產(chǎn)生正增益現(xiàn)象,如圖7所示。正增益是由于在熔接點(diǎn)之后的光纖比熔接點(diǎn)之前的光纖產(chǎn)生更多的后向散光而形成的。事實(shí)上,光纖在這一熔接點(diǎn)上是熔接損耗的。常出現(xiàn)在不同模場(chǎng)直徑或不同后向散射系數(shù)的光纖的熔接過(guò)程中,因此,需要在兩個(gè)方向測(cè)量并對(duì)結(jié)果取平均作為該熔接損耗。在實(shí)際的光纜維護(hù)中,接頭平均損耗為≤0.08dB。
在光纖分析結(jié)果中,“事件”是指由于有損耗的連接(微彎、連接器或熔接點(diǎn))造成的衰減異常、反射連接(連接器或光纖斷裂)或光纖遠(yuǎn)端。事件表中只列出超出預(yù)設(shè)閾值的事件。超出告警閾值的事件在事件表中以高亮度紅色顯示。
總損耗
注:事件表中檢測(cè)值小于閾值的參數(shù)寫(xiě)在()內(nèi),如果測(cè)量參數(shù)無(wú)法算出,則表示為**.***。
(1)到事件點(diǎn)處的距離
事件表中到事件點(diǎn)處的距離指從軌跡的起點(diǎn)到事件點(diǎn)處的距離,在首選設(shè)置畫(huà)面可以設(shè)置距離單位,例如“Km”。
(2)事件類型
(3)損耗(dB)
事件中計(jì)算得到的損耗值以dB表示
如果事件損耗值后面有
型標(biāo)記則表示檢測(cè)到了宏彎曲事件
(4)總損耗
該區(qū)域顯示到當(dāng)前事件點(diǎn)的光纖總損耗,單位是dB
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